86-0755-27838351
頻率:10-40MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
KDS晶振,差分晶振,DSA535SG晶振,1XTQ10000EGA晶振,壓控晶振具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,體積:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品.滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
壓電石英晶振主要是利用石英材料(水晶)的壓電效應(yīng)制成的電子原件和器件,壓電效應(yīng)是一種機(jī)電能量互換的現(xiàn)象,壓電效應(yīng)分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng),正壓電效應(yīng)是以機(jī)械應(yīng)力及,應(yīng)變(形變)作用而使物體產(chǎn)生電荷或電壓輸出。逆壓電效應(yīng)是以電能輸入使之產(chǎn)生機(jī)械能或,位移(形變)的輸出
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10-40MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
3.0-5.0V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
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H: -30℃ to +85℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振產(chǎn)品列表:
關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,貼片型VC-TCXO晶振因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來(lái)沖洗晶振。
關(guān)于機(jī)械性沖擊
(1)從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。
(2)SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,5032壓控溫補(bǔ)振蕩器由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥?,懇?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。
(3)請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確保晶振能正常工作。
KDS晶振,差分晶振,DSA535SG晶振,1XTQ10000EGA晶振
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