86-0755-27838351
頻率:0.7-125MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
加高晶振,有源晶振,HSO531S有源晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英7050晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
0.7-125MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10℃ to +70℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1.操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。5032晶體振蕩器請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,5032mm有源晶振否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加。
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,壓電水晶振振蕩子可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容。
加高晶振,有源晶振,HSO531S晶振
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