86-0755-27838351
頻率:1-800MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
富士晶振,貼片晶振,FDO-700晶振,貼片式石英晶振,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
貼片有源晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬級車間生產(chǎn),石英晶體振蕩器并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
項目 |
符號 |
晶振規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1-800MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.5-5.0V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
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H: -40℃ to +85℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,7050差分晶振可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。低消耗有源晶振同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,5070有源貼片晶振因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
富士晶振,貼片晶振,FDO-700晶振
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