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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振

頻率:10~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

小型SMD日產(chǎn)晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛
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QQ咨詢 點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息 愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振

伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。

項(xiàng)目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

10~40MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

2.7V to 5.5V

聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
TG5032SBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-1ppm
TG5032SBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振編碼列表:

X1G0045810085 TG5032SBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810086 TG5032SBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810088 TG5032SBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810091 TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810092 TG5032SBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810093 TG5032SBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810094 TG5032SBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810095 TG5032SBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-1ppm
X1G0045810096 TG5032SBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810097 TG5032SBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810098 TG5032SBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 5032

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于5032貼片晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請參考相應(yīng)的推薦裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存無人機(jī)晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至5032貼片振蕩器使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

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愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
智能手機(jī)SMD晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
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