86-0755-27838351
頻率:10~40MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10~40MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
2.7V to 5.5V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振型號列表:
愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG5032SBN
24.576000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
40.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
50.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-0.9 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-1ppm
TG5032SBN
30.720000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032SBN
19.440000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045810085 | TG5032SBN | 24.576000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810086 | TG5032SBN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810088 | TG5032SBN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810091 | TG5032CBN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810092 | TG5032SBN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810093 | TG5032SBN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810094 | TG5032SBN | 40.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810095 | TG5032SBN | 50.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-0.9 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-1ppm | |
X1G0045810096 | TG5032SBN | 30.720000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810097 | TG5032SBN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm | |
X1G0045810098 | TG5032SBN | 19.440000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | Clipped sine wave | +/-1.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.28 ppm | ≤ 5.0 mA | +/-0.5ppm |
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于5032貼片晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請參考相應(yīng)的推薦裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存無人機(jī)晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至5032貼片振蕩器使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
電話:+86-0755-27838351
手機(jī):13823300879
QQ:632862232
地址:廣東深圳市寶安寶安大道東95號浙商銀行大廈1905