愛普生日產(chǎn)晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振,2016mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶體振蕩器晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm

愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振編碼列表:

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指金屬面晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致2016小型貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?a title="智能手機(jī)晶振" target="_blank">智能手機(jī)晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振