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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進口晶振品牌代理商

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愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動電話晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3

頻率:26MHZ~54MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,“FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3”,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
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愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動電話晶振,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,“FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于高品質(zhì)貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。愛普生晶振,FA2016AS晶振,小體積貼片晶振,進口無源晶振,愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)貼片晶振,壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).

FA-2016AS 2016

愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動電話晶振

FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導致3225有源晶振性能受到損害,因此應避免照射.

化學制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬蓋,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用金屬面石英貼片晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

靜電

過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅動力,會導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?/span>.

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容.

晶體振蕩器和實時時鐘模塊,所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象.

輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCCGND.

愛普生晶振規(guī)格

單位

晶振參數(shù)

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

26.0-54.0MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C  +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±20,±50× 10-6 (標準)

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.wzjingmei.com

頻率溫度特征

f_tem

-0.04 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

7,9,12.5pF 

超出標準說明,請聯(lián)系我們.

抵抗電阻

R1

25~65KΩ Max


頻率老化

f_age

±3 ~±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

采購:愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動電話晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3

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