86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:1.2x4.6mmm
愛普生株式會(huì)社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
日本精工愛普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
將環(huán)保活動(dòng)的信息向公司內(nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會(huì)及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn).
愛普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶體振蕩器,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.
愛普生加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問(wèn)題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來(lái)創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會(huì).
愛普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)?;顒?dòng),把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).
愛普生株式會(huì)社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基 準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開環(huán)?;顒?dòng)來(lái)預(yù)防污染.
EPSON晶振,圓柱晶振,C-005R晶振,Q11C005R1001600晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強(qiáng),在各種產(chǎn)品中面對(duì)不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強(qiáng)的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運(yùn)輸過(guò)程中都不會(huì)受到影響.每一批生產(chǎn)的晶振在出廠時(shí)都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的檢驗(yàn),采用24小時(shí)老化測(cè)試為質(zhì)量嚴(yán)格把關(guān).
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振,貼片晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
愛普生晶振規(guī)格 |
單位 |
C-005R晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用EPSON晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
插件型晶振安裝注意事項(xiàng):
安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
• 修改插件圓柱晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4).EPSON晶振,圓柱晶振,C-005R晶振,Q11C005R1001600晶振
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí),導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí),務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在愛普生晶振外殼部位焊接,會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時(shí),不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請(qǐng)注意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).
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