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ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M

頻率:12MHZ

尺寸:7.00mm x 5.00mm

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大型高密度封裝諧振器,陶瓷表面SMD四腳晶振,CSM-12晶振

ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M,ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振,CSM-8M石英貼片晶振,伊西斯晶振,7050晶振,無線通訊設(shè)備晶振,智能家居晶振,GPS導(dǎo)航晶振,數(shù)碼電子產(chǎn)品晶振,智能玩具晶振.

大型高密度封裝諧振器,陶瓷表面SMD四腳晶振,CSM-12晶振

ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M

ECS晶振規(guī)格

單位

CSM-8M晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

12MHz

標準頻率,可提供其他頻率

儲存溫度

T_stg

-55℃~+125℃

裸存

工作溫度

T_use

-10℃~+70℃

標準溫度

激勵功率

DL

100 μW Max.

推薦:1μW ~ 100μW

頻率公差

f_— l

±30ppm
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com

頻率溫度特征

f_tem

±50ppm

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

20pF

超出標準說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

60 Ω max

@25°C

頻率老化

f_age

±5×10-6/year Max.

+25°C,第一年





大型高密度封裝諧振器,陶瓷表面SMD四腳晶振,CSM-12晶振

ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M

csm-8mr 7050

大型高密度封裝諧振器,陶瓷表面SMD四腳晶振,CSM-12晶振

ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M使用注意事項

1:抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。

2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解無源晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M

4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)

5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

CSM-8M

ECS原廠編碼 型號 頻率 頻率穩(wěn)定度 頻率偏差 負載電容 電阻 工作溫度
ECS-120-20-20BM-TR CSM-8M 12MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 60 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-13.5-20-20BM-TR CSM-8M 13.5MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-240-20-20BM-TR CSM-8M 24MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-160-20-20BM-TR CSM-8M 16MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-19.2-20-20BM-TR CSM-8M 19.2MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-270-20-20BM-TR CSM-8M 27MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-330-20-20BM-TR CSM-8M 33MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-300-20-20BM-TR CSM-8M 30MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-200-20-20BM-TR CSM-8M 20MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-480-20-20BM-TR CSM-8M 48MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-38.4-20-20BM-TR CSM-8M 38.4MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-19.68-20-20BM-TR CSM-8M 19.68MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-40.32-20-20BM-TR CSM-8M 40.32MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-440-20-20BM-TR CSM-8M 44MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-400-20-20BM-TR CSM-8M 40MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-61.5-20-20BM-TR CSM-8M 61.5MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C
ECS-98.3-20-20BM-TR CSM-8M 98.3MHz ±50ppm ±30ppm 20pF 80 Ohm -10°C ~ 70°C

大型高密度封裝諧振器,陶瓷表面SMD四腳晶振,CSM-12晶振

采購:ECS-120-20-20BM-TR無源晶振,美國ECS晶振CSM-8M

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VC-714-ECE-FAAN-200M000000TR,7050mm,200MHz,Microchip振蕩器
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VC-714-ECE-FAAN-200M000000TR,7050mm,200MHz,Microchip振蕩器,美國進口晶振,Microchip晶振,型號:VC-714,編碼為:VC-714-ECE-FAAN-200M000000TR,電壓3.3V,LVPECL輸出差分晶振,工作溫度范圍:-40℃至+85℃,頻率穩(wěn)定性:±25ppm,頻率為:200MHz,小體積晶振尺寸:7.0x5.0 mm,六腳貼片晶振,石英晶振,有源晶振,差分晶體振蕩器。具有低抖動,低功耗,低相位噪聲,低電平,低耗能,低電壓等特點。VC-714系列應(yīng)用于:醫(yī)療設(shè)備、超聲波,以太網(wǎng)、GbE、SynchE,光纖通道,PON、A/D、D/A、FPGA的時鐘源,測試和測量,存儲局域網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
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