86-0755-27838351
頻率:5.000MHz~250.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
百利通亞陶晶振,高質(zhì)量石英晶振,NX51SB振蕩器.普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Diodes 公司為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes環(huán)保晶振服務的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業(yè)及汽車市場.Diodes 的產(chǎn)品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數(shù)組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅(qū)動器)、AC-DC 轉(zhuǎn)換器與控制器、DC-DC 開關(guān)與線性穩(wěn)壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關(guān)、負載開關(guān)、電壓監(jiān)控器及馬達控制器).
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英貼片晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
百利通亞陶晶振 |
NX51SB晶振 |
輸出類型 |
CMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+2.5V,+3.3V |
頻率范圍 |
5.000MHz~250.000MHz |
頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm,±50ppm |
工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致數(shù)碼電子晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點.
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口高精密石英晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口石英晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致汽車電子晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
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