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百利通亞陶晶振,石英晶體振蕩器,NX51SA晶振

頻率:5.000MHz~250.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

貼片式石英有源晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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百利通亞陶晶振,石英晶體振蕩器,NX51SA晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著SMD晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設(shè)計(jì)、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺(tái)灣臺(tái)北;臺(tái)灣桃園市、臺(tái)灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亞陶晶振的晶圓生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施.Diodes 在中國上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州,以及香港、紐豪斯及臺(tái)北設(shè)有組裝與測(cè)試設(shè)施.另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷售、倉儲(chǔ)及物流辦公室,包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室.該公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎(jiǎng).Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證.

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百利通亞陶晶振

NX51SA晶振

輸出類型

           CMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V,+3.3V

頻率范圍

5.000MHz~250.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±20ppm,±50ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

NX51SA 5032 OSC

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激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致5032晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致數(shù)碼電子晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存進(jìn)口高質(zhì)量石英晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏.

正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊

自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口石英晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

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