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百利通亞陶晶振,臺灣貼片晶振,NX31SB振蕩器

頻率:5.000MHz~250.000MHz

尺寸:3.2*2.5*0.9mm

貼片石英晶體振蕩器,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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百利通亞陶晶振,臺灣貼片晶振,NX31SB振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

Double Data Rate (DDR) 同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存是用于計算機的內(nèi)存等級. Diodes 可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(包括服務(wù)器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備)以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件.該公司生產(chǎn)設(shè)施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質(zhì)獎.Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證.上述質(zhì)量獎反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù),并進一步提升我們在重視質(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳晶振廠家的地位.產(chǎn)品聚焦于高成長終端用戶設(shè)備市場,例如電視/衛(wèi)星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設(shè)備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應(yīng)器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點、無刷直流馬達風(fēng)扇、序列連接及汽車應(yīng)用.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除有源晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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百利通亞陶晶振

NX31SB晶振

輸出類型

           LVCMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V,+3.3V

頻率范圍

5.000MHz~250.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±20ppm,±50ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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NX31SB 3225 OSC

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機械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口貼片3225晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.

正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

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