86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:3.2*2.5*1.0mm
普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
百利通亞陶晶振,有源石英晶振,KX321振蕩器.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使貼片晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
Diodes 公司總部及美洲銷(xiāo)售辦公室位于美國(guó)德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設(shè)計(jì)、營(yíng)銷(xiāo)與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺(tái)灣臺(tái)北;臺(tái)灣桃園市、臺(tái)灣竹北市、英國(guó)曼徹斯特及德國(guó)紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 耐高溫晶振的晶圓生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國(guó)上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施.Diodes 在中國(guó)上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州,以及香港、紐豪斯及臺(tái)北設(shè)有組裝與測(cè)試設(shè)施.另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷(xiāo)售、倉(cāng)儲(chǔ)及物流辦公室,包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國(guó)上海、深圳、南韓城南市以及德國(guó)慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室.
百利通亞陶晶振 |
KX321晶振 |
輸出類(lèi)型 |
CMOS |
輸出負(fù)載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.8V,+2.5V,+3.0V,+3.3V |
頻率范圍 |
32.768KHZ |
頻率穩(wěn)定度 |
±50ppm |
工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害環(huán)保晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.
如何正確的使用有源晶振
電處理:
將電源連接到有源石英貼片晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗32.768K晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
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