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Bomar晶振,B1850-BAAS3T6N-20.000000晶振,壓控晶振

頻率：10.000MHZ~1500.000MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

2520mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
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Bomar晶振,B1850-BAAS3T6N-20.000000晶振,壓控晶振

  2520mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

 Bomar晶振公司成立于1963年,是一家為商業(yè)和雙向無線電行業(yè)提供石英晶體的制造商.為了滿足嚴格的FCC規(guī)范,業(yè)務性質(zhì)要求在寬頻率范圍內(nèi)具有嚴格的公差和高穩(wěn)定性晶體.快速生產(chǎn)的需求對我們不斷增長的客戶群非常重要.我們的許多客戶都是當?shù)?/span>,州和聯(lián)邦警察和監(jiān)督機構(gòu).Bomar很快成為這個市場的領先供應商,但在產(chǎn)品質(zhì)量,快速周轉(zhuǎn)時間和無與倫比的客戶服務方面始終得到認可.

  1988年,博馬爾開始建立OEM客戶群.來自電信,計算機,醫(yī)療,安全,商業(yè)和工業(yè)市場的客戶不僅開始使用晶體,還開始使用時鐘晶體振蕩器,石英晶體振蕩器，VCXO壓控晶振，TCXO溫補晶振，石英晶體諧振器等.為了滿足產(chǎn)品要求的這一變化,我們重新設計了我們的制造工藝,并增加了新的制造設備,以更小的封裝生產(chǎn)晶體和振蕩器,具有更高的頻率,低相位噪聲和低抖動.隨著這些變化和最先進的測試設備的增加,Bomar的國內(nèi)制造工廠繼續(xù)為頻率控制產(chǎn)品提供與1963年相同的快速周轉(zhuǎn),高可靠性,緊密公差和穩(wěn)定性.

  在90年代初的強勁增長期間,Bomar與少數(shù)精選的亞洲工廠建立了緊密的合作關(guān)系,以生產(chǎn)符合Bomar規(guī)格的產(chǎn)品.這些關(guān)系是在Bomar對其流程和產(chǎn)品進行認證后才建立的.今天,Bomar擁有大量晶體,時鐘晶體振蕩器,VCXO壓控晶振和TCXO溫補晶振的低成本資源,延續(xù)了我們50年來致力于提供高性能頻率控制解決方案的承諾,這些解決方案在價格,質(zhì)量和客戶支持方面達到或超過客戶的期望.

  晶體(XTAL)-正確切割和安裝石英晶體成為高質(zhì)量的定時裝置,通過向晶體附近或晶體上的電極施加電壓,可以使其在電場中彎曲.這種性質(zhì)稱為壓電性.當場被移除時,石英將在其返回其先前形狀時產(chǎn)生電場,這可以產(chǎn)生電壓.石英晶體的行為類似于由電感器,電容器和電阻器組成的電路,具有精確的諧振頻率.

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Frequency Range   10 - 200 MHz - CMOS
10 - 1500 MHz - LVDS
10 - 1500 MHz - LVPECL
Supply Voltage   2.5Vdc or 3.3Vdc
Current Consumption   40mA max. - CMOS
40mA max. - LVDS
60mA max. - LVPECL
Temperature Range Operating   0℃ to +70°C. - Standard
-40℃ to +85°C. - Optional
Storage   -55℃ to +125°C.
Frequency Stability   ±10ppm to ±100ppm
Pull Range   ±50ppm min.
Control Voltage    (2.5V) 1.25V±1.25V
(3.3) 1.65V±1.65V
Output Load    15pF - CMOS
100 ohms - LVDS
50 ohms - LVPECL
Symmetry (Duty Cycle)     45% to 55%
Output rise and fall time (tr/tf)  CMOS - 3nS max.,  LVDS & LVPECL - 0.6nS max.
Pin 2 Tri-State  Output enable voltage  No connection
(option)  Output enable voltage  70% Vdd min.
 Output disable voltage  30% Vdd max.
Start up time    3mS max
Aging   ±3ppm/1st year max.
Phase Jitter RMS (12 KHz ~ 20MHz)  1.5pS max.

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B1850-BAAS3T6N-20.000000

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Bomar晶振,B1850-BAAS3T6N-20.000000晶振,壓控晶振

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

石英晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

抗沖擊 

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響. 

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

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