86-0755-27838351
頻率:10MHZ~1500MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
Bomar晶振,B1825-BADS3T6N-20.000000晶振,5032有源晶振
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
Bomar晶振公司成立于1963年,是一家為商業(yè)和雙向無(wú)線電行業(yè)提供石英晶體的制造商.為了滿足嚴(yán)格的FCC規(guī)范,業(yè)務(wù)性質(zhì)要求在寬頻率范圍內(nèi)具有嚴(yán)格的公差和高穩(wěn)定性晶體.快速生產(chǎn)的需求對(duì)我們不斷增長(zhǎng)的客戶群非常重要.我們的許多客戶都是當(dāng)?shù)?/span>,州和聯(lián)邦警察和監(jiān)督機(jī)構(gòu).Bomar很快成為這個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)先供應(yīng)商,但在產(chǎn)品質(zhì)量,快速周轉(zhuǎn)時(shí)間和無(wú)與倫比的客戶服務(wù)方面始終得到認(rèn)可.1988年,博馬爾開(kāi)始建立OEM客戶群.來(lái)自電信,計(jì)算機(jī),醫(yī)療,安全,商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的客戶不僅開(kāi)始使用晶體,還開(kāi)始使用時(shí)鐘晶體振蕩器,石英晶體振蕩器,VCXO壓控晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等.為了滿足產(chǎn)品要求的這一變化,我們重新設(shè)計(jì)了我們的制造工藝,并增加了新的制造設(shè)備,以更小的封裝生產(chǎn)晶體和振蕩器,具有更高的頻率,低相位噪聲和低抖動(dòng).隨著這些變化和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備的增加,Bomar的國(guó)內(nèi)制造工廠繼續(xù)為頻率控制產(chǎn)品提供與1963年相同的快速周轉(zhuǎn),高可靠性,緊密公差和穩(wěn)定性.
在90年代初的強(qiáng)勁增長(zhǎng)期間,Bomar與少數(shù)精選的亞洲工廠建立了緊密的合作關(guān)系,以生產(chǎn)符合Bomar規(guī)格的產(chǎn)品.這些關(guān)系是在Bomar對(duì)其流程和產(chǎn)品進(jìn)行認(rèn)證后才建立的.今天,Bomar擁有大量晶體,時(shí)鐘晶體振蕩器,VCXO壓控晶振和TCXO溫補(bǔ)晶振的低成本資源,延續(xù)了我們50年來(lái)致力于提供高性能頻率控制解決方案的承諾,這些解決方案在價(jià)格,質(zhì)量和客戶支持方面達(dá)到或超過(guò)客戶的期望.
晶體(XTAL)-正確切割和安裝石英晶體成為高質(zhì)量的定時(shí)裝置,通過(guò)向晶體附近或晶體上的電極施加電壓,可以使其在電場(chǎng)中彎曲.這種性質(zhì)稱為壓電性.當(dāng)場(chǎng)被移除時(shí),石英將在其返回其先前形狀時(shí)產(chǎn)生電場(chǎng),這可以產(chǎn)生電壓.石英晶體的行為類似于由電感器,電容器和電阻器組成的電路,具有精確的諧振頻率.
Frequency Range | 10 - 250 MHz - CMOS | |
10 - 1500 MHz - LVDS | ||
10 - 1500 MHz - LVPECL | ||
Supply Voltage | 2.5Vdc or 3.3Vdc | |
Current Consumption | 45mA max. - CMOS | |
45mA max. - LVDS | ||
60mA max. - LVPECL | ||
Temperature Range | Operating | 0℃ to +70°C. - Standard |
-40℃ to +85°C. - Optional | ||
Storage | -55℃ to +125°C. | |
Frequency Stability | ±10ppm to ±100ppm | |
Pull Range | ±50ppm to ±150ppm min. | |
Control Voltage | (2.5V) 1.25V±1.25V (3.3V) 1.65V±1.65V | |
Output Load | 15pF - CMOS | |
100 ohms - LVDS | ||
50 ohms - LVPECL | ||
Symmetry (Duty Cycle) | 45% to 55% | |
Output rise and fall time (tr/tf) | CMOS - 3nS max., LVDS & LVPECL - 0.6nS max. | |
Pin 2 Tri-State | Output enable voltage | No connection |
(optional) | Output enable voltage | 70% Vdd min. |
Output disable voltage | 30% Vdd max. | |
Start up time | 3mS max | |
Aging | ±3ppm/1st year max. | |
Phase Jitter RMS (12 KHz ~ 20MHz) | 1.5pS max. |
Bomar晶振,B1825-BADS3T6N-20.000000晶振,5032有源晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
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